磁控濺射儀的原理及運用

電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

濺射設備

MSP-mini
超緊湊
簡單但非常有光澤的金屬薄膜可以一鍵涂覆。

MSP-1S
低溫、低損傷型
低壓涂層和浮動試樣底座可防止樣品損壞。

MSP-40T
可涂覆各種特殊金屬！
這是一種多用途、多金屬、實驗性的離子濺射沉積系統，配備全自動濺射功能。

MSP20-UM 貴金屬涂布機
具有全自動功能！！
可以詳細設置濺射條件，例如環境壓力調節，電流調節和Ar氣體的引入。

MSP20-MT
4英寸貴金屬涂布機，具有全自動功能！！
它可以處理大樣品和大量樣品。

用于MSP20-TK FE-SEM的鎢涂層機 可以涂覆MO/Cr/Ni/Cu等
金屬。

MSP-8 英寸 8 英寸
樣品架和目標安裝！！
磁控靶電極配備與8英寸晶圓兼容的大面積樣品臺。

MSP-12in（定制）
配備 12 英寸樣品架。
磁控管靶電極可以從φ300 mm尺寸和φ50 mm尺寸中選擇。