寬適配性,多基材兼容:可處理 φ100mm 基板及 4 英寸晶片,覆蓋硅、玻璃、化合物半導體(GaN、GaAs、InP、SiC)、藍寶石、陶瓷等多種基材,滿足不同實驗場景需求。
緊湊設計,節省空間:設備結構精巧,占用實驗室空間小,適合各類實驗室布局。
常壓操作,無需真空:在大氣壓下即可運行,無需搭配復雜的真空系統,降低使用門檻和維護成本。
溫和工藝,無損傷處理:全程無靜電、無機械損傷,不會破壞樣品結構,尤其適合敏感電子材料。
多重安全防護:配備上蓋連鎖機制(上蓋開啟時系統無法操作)、自動 N? purge 循環、加熱臺面保險絲保護、臭氧分解裝置、緊急停止按鈕等多重安全設計,保障操作人員安全,同時將排氣臭氧濃度降至安全標準。
臭氧無害化處理:內置臭氧分解裝置,避免臭氧排放污染,符合實驗室環保要求。
塑封封裝及引線框架表面清洗
化合物半導體(GaN、GaAs、InP、SiC)表面清洗
表面改質(親水性及增進附著力)
表面氧化(氧化薄層的形成)
光阻的灰化、去除、殘留清洗
去除有機污染物
UV 硬化
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